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              富士通半導體推出新型1 Mbit 和 2 Mbit FRAM產品
              來源: emasia-china.com作者: Kenny Fu時間:2019-11-27 12:12:07點擊:9860

              富士通半導體(上海)有限公司日前宣布,推出兩款新型FRAM產品-MB85RS1MT 和 MB85RS2MT,兩款產品分別帶有1 Mbit 和 2 Mbit的存儲器,是富士通半導體提供的最大容量的串口FRAM。這兩款產品將于2013年3月起開始提供新品樣片。

              兩款新型產品保證有10萬億次的讀寫次數,大約是現有芯片的10倍,適合用于智能電表、工業機械和醫療設備。與容量相同的EEPROM相比,寫入時可減少92%的功耗。另外,由于新款FRAM可以把所有系統存儲器器件(主要包括EEPROM、SRAM和用于保持數據的電池)所需的技術集成到單一芯片上,因此可大幅降低器件成本,占板面積和功耗。這相應地極大地有助于開發小型和節能設備,使維修更加簡易,因此不再需要備用電池。

              FRAM具有兩種特性:非易失性,即使關閉電源也能保存數據;隨機存取,可以快速寫入數據。即使發生突然電源故障和停電時,FRAM也可以安全存儲正在寫入的數據,所以可以在斷電前保證立刻保護芯片信息和存儲數據。憑借該能力,自從1999年量產后,富士通半導體的FRAM產品一直廣泛應用于工業自動化設備、測量設備、銀行終端以及醫療設備等。

              作為對其FRAM 產品陣容的更新,富士通半導體最近開發了MB85RS1MT (1 Mbit) 和 MB85RS2MT (2 Mbit),這兩款產品代表了公司迄今為止帶有SPI 串口的最高密度的FRAM產品。該系列產品讀寫次數提高到10萬億次,是富士通現行FRAM產品的10倍,因此可為實時連續數據記錄提供更好的支持。

              對于包括智能電表和其它測量設備、工業機械以及醫療設備(如助聽器)-所有的這些設備都需要帶串口的1-2 Mbit 非易失存儲器-現在可以使用富士通半導體的新型FRAM產品取代傳統的EEPROM。在快速寫入方面的改善可以使性能更高,同時可使由于電壓突然下降或者停電引起的數據丟失風險降至最低。針對寫入時所消耗的電量,新產品比EEPROM少消耗92%的電量,可以延長電池壽命。

              展望未來,富士通半導體將繼續提供解決方案,幫助客戶提高終端產品的性能,促進客戶現場設備的維護,并最大程度地降低風險。

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